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NXH011T120M3F2PTHG
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Canal N, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 5+ | $112.050 |
| 10+ | $102.740 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH011T120M3F2PTHG
No. Parte Newark86AK5889
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id91A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines29Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4V
Disipación de Potencia272W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
91A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016ohm
No. de Pines
29Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
272W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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