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QSB363
Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pines
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $0.255 |
| 3000+ | $0.239 |
| 10000+ | $0.212 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteQSB363
No. Parte Newark52F8731
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.940nm
Ángulo de Visión12°
Consumo de Potencia75mW
Núm. de Contactos2Pines
Diseño de Transistor-
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
940nm
Consumo de Potencia
75mW
Diseño de Transistor
-
Norma de Cualificación Automotriz
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Ángulo de Visión
12°
Núm. de Contactos
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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