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UF3C170400K3S
MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, SENCILLO
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C170400K3SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark47AK1763
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C170400K3SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark47AK1763
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id7.6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.41ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.7V
Disipación de Potencia100W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.7V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.41ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
100W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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