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UF3N170400B7S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3N170400B7SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark78AK8899
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.200 |
| 50+ | $6.820 |
| 100+ | $6.570 |
| 250+ | $6.440 |
| 500+ | $6.310 |
| 1000+ | $6.180 |
| 2500+ | $6.040 |
| 5000+ | $5.910 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3N170400B7SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark78AK8899
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id6.8
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente400
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-6.7
Disipación de Potencia68
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
6.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
400
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-6.7
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
68
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto