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N0602N-S19-AY
MOSFET, CANAL N, 60V, 100A, TO-220AB
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FabricanteRENESAS
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No. Parte Newark29AK2802
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.500 |
| 10+ | $2.310 |
| 100+ | $1.640 |
| 500+ | $1.350 |
| 1000+ | $1.240 |
| 2500+ | $1.180 |
| 5000+ | $1.100 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteN0602N-S19-AYCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark29AK2802
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4600µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia156W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4600µohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
156W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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