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TP65H035G4YS
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H035G4YSCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark26AM1877
Rango de ProductoSuperGaN Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.930 |
| 10+ | $8.950 |
| 25+ | $8.140 |
| 50+ | $7.580 |
| 100+ | $7.070 |
| 250+ | $5.940 |
| 500+ | $5.750 |
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Información del producto
FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H035G4YSCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark26AM1877
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id46.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.041
Carga de Compuerta Típica42.7
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines4Pines
Rango de ProductoSuperGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
TP65H035G4YS is a 650V, 35mohm gallium nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’s Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. It is ideal for datacom, broad industrial, PV inverter and servo motor applications.
- JEDEC qualified GaN technology
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Robust design featuring a wide gate safety margin and transient over-voltage capability
- Enhanced inrush current capability and reduced crossover loss
- Enables AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly-used gate drivers
- GSD pin layout improves high speed design
- Available in 4 pin TO-247 package
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.041
Diseño de Transistor
TO-247
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
46.5
Carga de Compuerta Típica
42.7
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Rango de Producto
SuperGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto