Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
532 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $0.297 |
10+ | $0.198 |
25+ | $0.167 |
50+ | $0.137 |
100+ | $0.106 |
250+ | $0.104 |
500+ | $0.100 |
1000+ | $0.098 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$1.48
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte Fabricante2SK3019TL
No. Parte Newark74M6353
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100mA
Resistencia de Activación Rds(on)13ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente13ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd150mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Diseño de TransistorEMT
Disipación de Potencia150mW
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El 2SK3019TL es un MOSFET de silicio de canal N que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 30 V y una corriente de drenaje continua de ±100mA. Es adecuado para su uso en aplicaciones de conmutación e interfaz.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- La unidad de bajovoltaje de 2.5V hace que este dispositivo sea ideal para equipos portátiles
- Los circuitos de manejo pueden ser simples
- El uso paralelo es fácil
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
13ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Diseño de Transistor
EMT
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
13ohm
Disipación de Potencia Pd
150mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Disipación de Potencia
150mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza 2SK3019TL
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto