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HP8KB6TB1
MOSFET, DUAL, N-CH, 40V, 24A, 21W, HSOP ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.410 |
| 10+ | $1.630 |
| 25+ | $1.530 |
| 50+ | $1.340 |
| 100+ | $1.140 |
| 250+ | $1.070 |
| 500+ | $0.915 |
| 1000+ | $0.863 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteHP8KB6TB1
No. Parte Newark08AM2067
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N24A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0157ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorHSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N21W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
24A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0157ohm
Diseño de Transistor
HSOP
Disipación de Potencia de Canal N
21W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto