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HT8KE6HTB1
MOSFET, DUAL N-CH, 100V, 12.5A, HSMT ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.370 |
| 10+ | $1.520 |
| 25+ | $1.360 |
| 50+ | $1.200 |
| 100+ | $1.030 |
| 250+ | $0.923 |
| 500+ | $0.819 |
| 1000+ | $0.787 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteHT8KE6HTB1
No. Parte Newark22AM1008
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N12.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente6000µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorHSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N14W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
12.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
6000µohm
Diseño de Transistor
HSMT
Disipación de Potencia de Canal N
14W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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