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HT8KF6HTB1
MOSFET, DUAL N-CH, 150V, 14W, HSMT ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.730 |
| 10+ | $1.490 |
| 25+ | $1.350 |
| 50+ | $1.230 |
| 100+ | $1.040 |
| 250+ | $0.920 |
| 500+ | $0.805 |
| 1000+ | $0.774 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$8.65
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteHT8KF6HTB1
No. Parte Newark29AM6912
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N150V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.214ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorHSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N14W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
150V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.214ohm
Diseño de Transistor
HSMT
Disipación de Potencia de Canal N
14W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto