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QS6K1TR

Name: MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
Brand: ROHM
SKU: 74M4156
Availability: InStock

MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 1 A, 0.364 ohm

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FabricanteROHM

No. Parte FabricanteQS6K1TR

No. Parte Newark74M4156

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Información del producto

FabricanteROHM

No. Parte FabricanteQS6K1TR

No. Parte Newark74M4156

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Tipo de CanalN Channel

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V

Intensidad Drenador Continua Id1A

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-

Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1A

Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-

Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.364ohm

Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-

Diseño de TransistorTSMT

Núm. de Contactos6Pines

Disipación de Potencia de Canal N900mW

Disipación de Potencia de Canal P-

Temperatura de Trabajo Máx.150°C

Rango de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)

Resumen del producto

El QS6K1TR es un MOSFET complejo de doble canal N diseñado como dispositivos de baja resistencia en ON mediante tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Está diseñado para máquinas procesadoras de monedas, terminales de datos portátiles, multímetro digital práctico y de banco, PLC, DVR/DVS, POS, bicicleta eléctrica, medidor inteligente, cámara de vigilancia, máquina de inspección de rayos X para seguridad, cámara de vigilancia para red , intercomunicador/monitor para bebés, dispositivo de autenticación de huellas dactilares, cámara de visión artificial para aplicaciones industriales y pantallas para EMS.

Baja resistencia de ENCENDIDO
Paquete pequeño y de montaje en superficie
Diodo de protección G-S incorporado
Rendimiento de cambio rápido

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

N Channel

Intensidad Drenador Continua Id

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P

Corriente de Drenaje Continua Id Canal P

Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente

Núm. de Contactos

6Pines

Disipación de Potencia de Canal P

Rango de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Unlimited

Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N

30V

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

30V

Corriente de Drenaje Continua Id Canal N

Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente

0.364ohm

Diseño de Transistor

TSMT

Disipación de Potencia de Canal N

900mW

Temperatura de Trabajo Máx.

150°C

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (23-Jan-2024)

Documentos técnicos (1)

Technical Data Sheet EN

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Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme a RoHS:Sí

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)

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