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QS6M3TR
MOSFET, N/P-CH, 20V, 1.5A, TSMT ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.268 |
| 6000+ | $0.248 |
| 12000+ | $0.234 |
| 18000+ | $0.219 |
| 30000+ | $0.211 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$804.00
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQS6M3TR
No. Parte Newark86AK6068
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.17ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.17ohm
Diseño de TransistorTSMT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N900mW
Disipación de Potencia de Canal P1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.17ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.25W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.17ohm
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia de Canal N
900mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza QS6M3TR
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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