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RGT20TM65DGC9
IGBT, 10 A, 1.65 V, 25 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pines
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRGT20TM65DGC9Copiar
No. Parte Newark51AH6452
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua10
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.65
Disipación de Potencia25
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-220NFM
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
10
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
25
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
Diseño de Transistor
TO-220NFM
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.65
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto