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RGT8NS65DGTL
IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pines
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 33 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.180 |
| 10+ | $1.390 |
| 100+ | $0.968 |
| 500+ | $0.921 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRGT8NS65DGTL
No. Parte Newark76Y4989
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua8
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.65
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia65
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-263S
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.65
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
Diseño de Transistor
TO-263S
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
8
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
65
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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