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RH6N040BHTB1
MOSFET, N-CHANNEL, 80V, 65A, HSMT ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.790 |
| 10+ | $1.510 |
| 25+ | $1.400 |
| 50+ | $1.300 |
| 100+ | $1.200 |
| 250+ | $1.090 |
| 500+ | $0.975 |
| 1000+ | $0.949 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRH6N040BHTB1
No. Parte Newark13AM5191
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id65A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0083ohm
Diseño de TransistorHSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia59W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
65A
Diseño de Transistor
HSMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
59W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0083ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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