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RH7G04BBJFRATCB
MOSFET, P-CHANNEL, 40V, 40A, WFDFN3333 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.260 |
| 10+ | $1.970 |
| 25+ | $1.800 |
| 50+ | $1.670 |
| 100+ | $1.430 |
| 250+ | $1.290 |
| 500+ | $1.160 |
| 1000+ | $1.130 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRH7G04BBJFRATCB
No. Parte Newark29AM7172
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0119ohm
Diseño de TransistorWFDFN3333
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia75W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Diseño de Transistor
WFDFN3333
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
75W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0119ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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