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RS7P200BMTB1
MOSFET, N-CH, 100V, 200A, DFN5060-8S ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.770 |
| 10+ | $5.190 |
| 25+ | $4.810 |
| 50+ | $4.430 |
| 100+ | $3.950 |
| 250+ | $3.290 |
| 500+ | $3.160 |
| 1000+ | $3.020 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$28.85
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRS7P200BMTB1
No. Parte Newark51AM2260
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id200A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4000µohm
Diseño de TransistorDFN5060-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia217W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200A
Diseño de Transistor
DFN5060-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
217W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto