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RX2P06BBHC7G
MOSFET, N-CH, 100V, 65A, TO-220FM ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.390 |
| 10+ | $2.960 |
| 100+ | $2.480 |
| 500+ | $2.340 |
| 1000+ | $2.150 |
| 3000+ | $1.840 |
| 5000+ | $1.800 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.39
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRX2P06BBHC7G
No. Parte Newark51AM4484
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id65A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8400µohm
Diseño de TransistorTO-220FM
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia52W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
65A
Diseño de Transistor
TO-220FM
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
52W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8400µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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