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SCT3160KWAHRTL
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
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998 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.880 |
| 10+ | $7.350 |
| 25+ | $6.940 |
| 50+ | $6.530 |
| 100+ | $6.130 |
| 250+ | $5.850 |
| 500+ | $5.560 |
| 1000+ | $4.710 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3160KWAHRTL
No. Parte Newark02AM9708
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id17A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.208ohm
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia100W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.208ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
100W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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