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SEMIX703GB126HD
Módulo IGBT, Doble, 650 A, 1.2 kV, 125 °C, Module
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Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSEMIX703GB126HD
No. Parte Newark02M8563
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Corriente de Colector DC650A
Corriente del Colector Continua650A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.2kV
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Temperatura de Union, Tj Máx.125°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPerno
No. de Pines11Pines
Tecnología IGBTIGBT 3 [Zanja]
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble
Corriente de Colector DC
650A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.2kV
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Terminación del IGBT
Perno
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Zanja]
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente del Colector Continua
650A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
125°C
Diseño de Transistor
Module
No. de Pines
11Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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