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SK 75 GD 066 T
Módulo IGBT, Paquete de Seis [Puente Completo], 83 A, 600 V, 175 °C
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSK 75 GD 066 T
No. Parte Newark77R2342
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTPaquete de Seis [Puente Completo]
Corriente de Colector DC83A
Corriente del Colector Continua83A
Voltaje de Saturación Colector Emisor600V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)600V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo800mV
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de Transistor-
No. de Pines67Pines
Terminación del IGBTEncaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor800mV
Tecnología IGBTIGBT 3 [Zanja]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Paquete de Seis [Puente Completo]
Corriente del Colector Continua
83A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
600V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Diseño de Transistor
-
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Zanja]
Rango de Producto
-
Corriente de Colector DC
83A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
600V
Disipación de Potencia Pd
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
800mV
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
No. de Pines
67Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
800mV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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