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SKM100GB125DN
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM100GB125DN
No. Parte Newark55X3183
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM100GB125DN
No. Parte Newark55X3183
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua100A
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor3.3V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTNPT IGBT [Ultrafast]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente del Colector Continua
100A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
3.3V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
NPT IGBT [Ultrafast]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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