Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

| Fabricante | SEMIKRON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SKM150GB12T4GCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 semanas |
| No. Parte Newark | 55X3187 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
44 En Stock
48 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $284.060 |
| 5+ | $248.560 |
| 10+ | $205.950 |
| 25+ | $184.640 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$284.06
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | SEMIKRON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SKM150GB12T4GCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 semanas |
| No. Parte Newark | 55X3187 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Configuración IGBT | Half Bridge |
| Corriente de Colector DC | 0 |
| Corriente del Colector Continua | 223A |
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 1.85V |
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 0 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Disipación de Potencia | - |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 0 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Temperatura de Union, Tj Máx. | 0 |
| Diseño de Transistor | Module |
| Terminación del IGBT | Stud |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 1.2kV |
| Tecnología IGBT | IGBT 4 Fast [Trench] |
| Montaje de Transistor | Panel |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (15-Jun-2015) |
Resumen del producto
The SKM150GB12T4G is a SEMITRANS® 3 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Especificaciones técnicas
| Configuración IGBT | Half Bridge |
|---|---|
| Corriente del Colector Continua | 223A |
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 0 |
| Disipación de Potencia | - |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Diseño de Transistor | Module |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 1.2kV |
| Montaje de Transistor | Panel |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Corriente de Colector DC | 0 |
|---|---|
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 1.85V |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 0 |
| Temperatura de Union, Tj Máx. | 0 |
| Terminación del IGBT | Stud |
| Tecnología IGBT | IGBT 4 Fast [Trench] |
| Rango de Producto | - |
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SKM150GB12T4G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
