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SKM195GB066D
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 265 A, 1.45 V, 600 V, Module RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM195GB066D
No. Parte Newark55X3190
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua265A
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.45V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia-
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Tecnología IGBTIGBT 3 [Trench]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente del Colector Continua
265A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.45V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Trench]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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