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SKM300GM12T4
Módulo IGBT, 422 A, 1.2 kV, 175 °C
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM300GM12T4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark77R2574
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 12+ | $344.150 |
| 24+ | $334.970 |
| 36+ | $325.790 |
| 60+ | $316.610 |
| 120+ | $302.850 |
| 300+ | $296.800 |
| 600+ | $290.740 |
| 1200+ | $284.680 |
Precio para:Cada
Mínimo: 12
Múltiple: 12
$4,129.80
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM300GM12T4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark77R2574
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBT-
Corriente del Colector Continua422A
Corriente de Colector DC422A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.2kV
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo800mV
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Diseño de Transistor-
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTPerno
Voltaje Máx. Colector a Emisor800mV
Tecnología IGBTIGBT 4 rápido [zanja]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Resumen del producto
El SKM300GM12T4 es un módulo IGBT SEMITRANS® 3 para usar con inversor de matriz e interruptor bidireccional. Cuenta con una placa base de cobre aislada que utiliza tecnología DBC (Direct Bonded Copper) y una mayor capacidad de ciclo de potencia.
- IGBT4 = IGBT de trinchera rápido de cuarta generación (Infineon)
- CAL4 = diodo de conmutación suave de 4ª generación
- Resistencia de Compuerta Integrada
- Para frecuencias de conmutación más altas de hasta 20kHz
- Reconocido por UL ,archivo E63532
Aplicaciones
Administración de Potencia
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
-
Corriente de Colector DC
422A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.2kV
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Diseño de Transistor
-
Terminación del IGBT
Perno
Tecnología IGBT
IGBT 4 rápido [zanja]
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
422A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia Pd
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
800mV
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
800mV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SKM300GM12T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto