Imprimir página
SKM50GB12T4
Módulo IGBT, Medio Puente, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
15 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $94.520 |
| 5+ | $75.610 |
| 16+ | $70.970 |
| 32+ | $66.160 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$94.52
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM50GB12T4
No. Parte Newark96W3227
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua81
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorSEMITRANS 2
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTIGBT 4 Fast [Trench]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Resumen del producto
The SKM50GB12T4 is a SEMITRANS® 2 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
81
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
SEMITRANS 2
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
IGBT 4 Fast [Trench]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SKM50GB12T4
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto