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GD1000HFX170P2S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.7KV, 1.604KA ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD1000HFX170P2SCopiar
No. Parte Newark84AH5706
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $484.360 |
| 6+ | $477.170 |
| 10+ | $470.190 |
| 26+ | $441.970 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$484.36
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD1000HFX170P2SCopiar
No. Parte Newark84AH5706
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua1.604kA
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.95V
Disipación de Potencia6.25kW
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.95V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
1.604kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
6.25kW
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto