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GD200HFX65C2S
IGBT MODULE, 650V, 247A ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 1+ | $109.490 |
| 5+ | $107.510 |
| 10+ | $105.440 |
| 36+ | $104.410 |
| 60+ | $103.400 |
| 108+ | $99.340 |
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD200HFX65C2S
No. Parte Newark25AK0616
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua247A
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.45V
Disipación de Potencia612W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Tecnología IGBTTrench
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.45V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
247A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
612W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
Trench
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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