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GD200HFY120C8S
Módulo IGBT, Medio Puente, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $97.650 |
| 5+ | $95.890 |
| 10+ | $94.040 |
| 32+ | $93.120 |
| 64+ | $92.230 |
| 112+ | $88.600 |
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD200HFY120C8S
No. Parte Newark84AH5723
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua309A
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.006kW
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Disipación de Potencia
1.006kW
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
309A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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