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Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semana(s)
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $114.000 |
5+ | $108.060 |
10+ | $102.110 |
36+ | $96.170 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$114.00
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteA2F20M65W3-FC
No. Parte Newark25AM3314
Configuración de Módulo MOSFETFourPack
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id58A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0345ohm
Diseño de TransistorACEPACK 2
No. de Pines30Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
FourPack
Intensidad Drenador Continua Id
58A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0345ohm
No. de Pines
30Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
ACEPACK 2
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto