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DB4
DIAC / SIDAC, 35 V, 45 V, 100 A, 300 mA, DO-35, 2 RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteDB4
No. Parte Newark25M8899
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.064 |
| 10+ | $0.063 |
| 100+ | $0.062 |
| 500+ | $0.062 |
| 1000+ | $0.061 |
| 2500+ | $0.060 |
| 10000+ | $0.059 |
| 25000+ | $0.054 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteDB4
No. Parte Newark25M8899
Hoja de datos técnicos
Voltaje Mín. de Ruptura35V
Máx. Voltaje de Irrupción45V
Corriente de Irrupción Máx.100µA
Corriente Máxima Directa0
Diseño de Diac / SidacDO-35
No. de Pines2Pines
TipoDIAC
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Montaje de TiristorThrough Hole
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje Mín. de Ruptura
35V
Corriente de Irrupción Máx.
100µA
Diseño de Diac / Sidac
DO-35
Tipo
DIAC
Montaje de Tiristor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Máx. Voltaje de Irrupción
45V
Corriente Máxima Directa
0
No. de Pines
2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Rango de Producto
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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