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SCT020W120G3-4AG
MOSFET, N-CHANNEL, 1.2KV, 100A, HIP247 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $39.690 |
| 5+ | $38.580 |
| 10+ | $37.530 |
| 25+ | $36.570 |
| 50+ | $35.730 |
| 100+ | $35.220 |
| 250+ | $34.770 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT020W120G3-4AG
No. Parte Newark07AM7716
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Diseño de TransistorHiP247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia541W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
541W
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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