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SCT025W120G3-4
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 56A, HIP247 ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 11 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $28.010 |
| 10+ | $26.680 |
| 25+ | $26.130 |
| 60+ | $24.310 |
| 120+ | $23.340 |
| 270+ | $21.410 |
| 510+ | $20.960 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$28.01
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT025W120G3-4
No. Parte Newark48AM4860
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id56A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.037ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia388W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
56A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.037ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
388W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto