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Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $19.800 |
| 10+ | $18.570 |
| 25+ | $17.510 |
| 50+ | $16.450 |
| 100+ | $15.400 |
| 250+ | $14.670 |
| 500+ | $14.060 |
| 1000+ | $13.580 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$19.80
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT027TO65G3
No. Parte Newark49AM4722
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0393ohm
Diseño de TransistorTOLL
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia395W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0393ohm
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TOLL
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
395W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto