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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT20N120
No. Parte Newark45AC7496
Hoja de datos técnicos
272 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
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10+ | $15.320 |
25+ | $13.150 |
50+ | $12.700 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT20N120
No. Parte Newark45AC7496
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia de Activación Rds(on)0.169ohm
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.169ohm
Diseño de TransistorHiP247
Disipación de Potencia Pd175W
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia175W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Resistencia de Activación Rds(on)
0.169ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.169ohm
Disipación de Potencia Pd
175W
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
175W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
HiP247
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto