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SCT20N120
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT20N120
No. Parte Newark45AC7496
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $9.900 |
| 25+ | $9.630 |
| 60+ | $9.230 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT20N120
No. Parte Newark45AC7496
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia de Activación Rds(on)0.169ohm
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.169
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia Pd175W
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia175
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Resistencia de Activación Rds(on)
0.169ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.169
No. de Pines
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
HiP247
Disipación de Potencia Pd
175W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto