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SCTL90N65G2V
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTL90N65G2VCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40AJ8413RL
Cinta adhesiva40AJ8413
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $42.420 | $42.42 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $42.42 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $42.420 |
| 50+ | $33.000 |
| 100+ | $32.340 |
| 250+ | $31.670 |
| 500+ | $31.020 |
| 1000+ | $30.360 |
| 2500+ | $29.700 |
| 5000+ | $29.030 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTL90N65G2VCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40AJ8413RL
Cinta adhesiva40AJ8413
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerFLAT
No. de Pines5Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2
Disipación de Potencia935
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
SCTL90N65G2V is a silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Typical applications are switching mode power supply, DC-DC converters, and industrial motor control.
- Very fast and robust intrinsic body diode, low capacitances
- Source sensing pin for increased efficiency
- Drain-source breakdown voltage is 650V minimum at VGS = 0V, ID = 1mA
- Static drain-source on-resistance is 24mohm max at VGS = 18V, ID = 40A
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is 40A
- Input capacitance is 3380pF typical at VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
- Rise time is 38ns typ at VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2.2ohm, VGS = -5V to 18V
- PowerFLAT 8x8 HV package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
5Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
935
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto