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SCTW40N120G2VAG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW40N120G2VAG
No. Parte Newark69AH2146
Hoja de datos técnicos
26 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $25.930 |
| 10+ | $25.410 |
| 25+ | $19.690 |
| 60+ | $19.010 |
| 120+ | $18.560 |
| 270+ | $18.300 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW40N120G2VAG
No. Parte Newark69AH2146
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id33A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia290W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2V
Disipación de Potencia
290W
Rango de Producto
-
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
33A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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