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SCTW40N120G2VAG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark69AH2146
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $24.200 |
| 10+ | $21.730 |
| 25+ | $19.260 |
| 60+ | $16.780 |
| 120+ | $15.980 |
| 270+ | $15.160 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark69AH2146
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia290
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
N Channel
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2
Disipación de Potencia
290
Rango de Producto
-
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
33
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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