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SCTW70N120G2V
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW70N120G2V
No. Parte Newark89AH1287
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $49.690 |
| 5+ | $48.480 |
| 10+ | $47.270 |
| 25+ | $41.260 |
| 50+ | $40.420 |
| 100+ | $39.920 |
| 250+ | $39.480 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW70N120G2V
No. Parte Newark89AH1287
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id91A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorHiP247
Núm. de Contactos3Pines
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.45V
Disipación de Potencia547W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Núm. de Contactos
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
547W
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
91A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021ohm
Diseño de Transistor
HiP247
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.45V
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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