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SCTW70N120G2V
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 91A, HIP247-3
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW70N120G2VCopiar
No. Parte Newark89AH1287
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $47.460 |
| 5+ | $44.280 |
| 10+ | $41.110 |
| 25+ | $37.930 |
| 60+ | $34.750 |
| 120+ | $33.730 |
| 270+ | $32.730 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW70N120G2VCopiar
No. Parte Newark89AH1287
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id91
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.45
Disipación de Potencia547
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021
No. de Pines
3Pines
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
547
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
91
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.45
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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