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SCTW90N65G2V
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW90N65G2V
No. Parte Newark69AH2147
Hoja de datos técnicos
411 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $45.840 |
| 5+ | $44.000 |
| 10+ | $42.160 |
| 25+ | $40.310 |
| 50+ | $38.470 |
| 100+ | $38.060 |
| 250+ | $37.650 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW90N65G2V
No. Parte Newark69AH2147
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id119A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia565W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2V
Disipación de Potencia
565W
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
119A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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