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STB12NM50T4
MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB12NM50T4
No. Parte Newark99W9702
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.390 |
| 10+ | $4.430 |
| 25+ | $4.130 |
| 50+ | $3.840 |
| 100+ | $3.540 |
| 250+ | $3.390 |
| 500+ | $3.230 |
| 1000+ | $2.710 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB12NM50T4
No. Parte Newark99W9702
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds550V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia160W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
550V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
160W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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