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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1000+ | $0.994 |
2000+ | $0.967 |
4000+ | $0.951 |
6000+ | $0.932 |
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Múltiple: 1000
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB55NF06LT4
No. Parte Newark86AK6453
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)16V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia95W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
16V
Disipación de Potencia
95W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza STB55NF06LT4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto