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STD26NF10
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 25 A, 33 mohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD26NF10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo28AC3288
Re-reeling (Rollos a medida)45AC7538
Cinta adhesiva45AC7538
Rango de ProductoSTripFET II
Su número de pieza
6,681 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.650 | $2.65 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.65 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.650 |
| 50+ | $1.780 |
| 100+ | $1.270 |
| 250+ | $1.170 |
| 500+ | $1.060 |
| 1000+ | $0.992 |
| 2500+ | $0.972 |
| 5000+ | $0.953 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.884 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD26NF10Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo28AC3288
Re-reeling (Rollos a medida)45AC7538
Cinta adhesiva45AC7538
Rango de ProductoSTripFET II
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia de Activación Rds(on)0.033ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSTripFET II
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.033ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET II
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
100W
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD26NF10
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto