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STF25N60M2-EP
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF25N60M2-EPCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark45AC7569
Rango de ProductoMDmesh M2
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721 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.910 |
| 10+ | $3.700 |
| 25+ | $3.450 |
| 50+ | $3.180 |
| 100+ | $3.010 |
| 250+ | $2.860 |
| 500+ | $2.710 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF25N60M2-EPCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark45AC7569
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.175
Resistencia de Activación Rds(on)0.175ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd30W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia30
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
STF25N60M2-EP is a N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 enhanced performance (EP) technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance, optimized switching characteristics with very low turn-off switching losses, rendering it suitable for the most demanding very high-frequency converters. Typical applications switching applications and tailored for very high frequency converters (f <gt/> 150KHz).
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- Very low turn-off switching losses
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- 600V drain-source breakdown voltage at VGS = 0V, ID = 1mA
- 0.188ohm static drain-source on-resistance max
- 18A drain current (continuous) at TC = 25°C
- TO-220FP package
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.175
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
30W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0.175ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STF25N60M2-EP
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto