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STGB30H65DFB2
IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGB30H65DFB2
No. Parte Newark82AH9138
Rango de ProductoHB2
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924 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.420 |
| 10+ | $2.380 |
| 25+ | $2.180 |
| 50+ | $1.980 |
| 100+ | $1.780 |
| 250+ | $1.660 |
| 500+ | $1.540 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGB30H65DFB2
No. Parte Newark82AH9138
Rango de ProductoHB2
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua50
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.65
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia167
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de ProductoHB2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
50
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.65
Disipación de Potencia
167
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
HB2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto