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STGP10M65DF2
IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGP10M65DF2
No. Parte Newark52Y7735
Hoja de datos técnicos
854 En Stock
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754 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.210 |
| 10+ | $1.750 |
| 100+ | $1.310 |
| 500+ | $1.160 |
| 1000+ | $1.030 |
| 2500+ | $0.979 |
| 10000+ | $0.968 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.21
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGP10M65DF2
No. Parte Newark52Y7735
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua20
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.55
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia115
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-220
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
Diseño de Transistor
TO-220
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente del Colector Continua
20
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.55
Disipación de Potencia
115
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto