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STGW30M65DF2
IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGW30M65DF2
No. Parte Newark47AK6961
Rango de ProductoTrench M Series
Hoja de datos técnicos
748 En Stock
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487 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.530 |
| 10+ | $2.720 |
| 25+ | $2.590 |
| 60+ | $2.450 |
| 120+ | $2.330 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.53
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGW30M65DF2
No. Parte Newark47AK6961
Rango de ProductoTrench M Series
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua60
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.55
Disipación de Potencia258
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoTrench M Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
60
Disipación de Potencia
258
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
Trench M Series
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.55
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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