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STGWA30M65DF2
IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA30M65DF2
No. Parte Newark52Y7737
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA30M65DF2
No. Parte Newark52Y7737
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua60
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.55
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia258
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
60
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.55
Disipación de Potencia
258
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto