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STGYA50H120DF2
IGBT, 100 A, 2.1 V, 535 W, 1.2 kV, MAX-247, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGYA50H120DF2
No. Parte Newark32AK9604
Rango de ProductoTrench H Series
Hoja de datos técnicos
536 En Stock
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486 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.930 |
| 10+ | $7.210 |
| 25+ | $6.930 |
| 60+ | $6.720 |
| 120+ | $6.520 |
| 270+ | $6.310 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.93
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGYA50H120DF2
No. Parte Newark32AK9604
Rango de ProductoTrench H Series
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua100A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.1V
Disipación de Potencia535W
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Diseño de TransistorMAX-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoTrench H Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
100A
Disipación de Potencia
535W
Diseño de Transistor
MAX-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
Trench H Series
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.1V
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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