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STH12N120K5-2
MOSFET de Potencia, Canal N, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH12N120K5-2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante7 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo15AN0230
Cinta adhesiva45AC7611
Rango de ProductoMDmesh K5
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590 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $15.790 | $15.79 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $15.79 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $15.790 |
| 50+ | $9.920 |
| 100+ | $9.790 |
| 250+ | $9.600 |
| 500+ | $9.400 |
| 1000+ | $9.210 |
| 2500+ | $9.010 |
| 5000+ | $8.820 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.200 |
| 200+ | $9.830 |
| 400+ | $9.610 |
| 800+ | $9.400 |
| 1200+ | $9.080 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH12N120K5-2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante7 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo15AN0230
Cinta adhesiva45AC7611
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.62
Resistencia de Activación Rds(on)0.62ohm
Diseño de TransistorH2PAK-2
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd250W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.62
Diseño de Transistor
H2PAK-2
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.62ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
250W
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STH12N120K5-2
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto