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STH65N050DM9-7AG
MOSFET, N-CH, 650V, 51A, H2PAK ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.550 |
| 10+ | $9.980 |
| 25+ | $9.560 |
| 50+ | $9.150 |
| 100+ | $8.740 |
| 250+ | $8.500 |
| 500+ | $8.260 |
| 1000+ | $7.390 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH65N050DM9-7AG
No. Parte Newark26AM8860
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id51A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Diseño de TransistorH2PAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia266W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
51A
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
266W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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